IGBT，即绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一种应用广泛的开关功率器件。它由MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）和双极型晶体管的特点结合而成。IGBT具有MOSFET输入电阻低，控制电压低；双极型晶体管的输出电流高，输入电流低等特点，因此在高压高电流的控制电路中得到了广泛应用。
IGBT的工作原理是控制电压作用于栅极时，驱动控制电路输出一个电流控制IGBT的导通或截止。IGBT在导通状态下具有很小的导通电阻，能够承受大电流，输出功率比MOSFET大；而在截止状态下，具有很高的绝缘电阻，几乎不会有泄漏电流，因而在高压情况下具有更优异的可靠性。
IGBT的应用范围非常广泛，特别是在电力电子领域中得到了广泛应用。例如，IGBT可用作交流调压器，直流电源的开关，电机驱动器等。此外，IGBT还可用于电动汽车、太阳能电池等新能源应用的控制电路中，以及电焊机、UPS等市场日益增长的应用中。
IGBT究竟是什么？
IGBT即Insulated Gate Bipolar Transistor，是一种新型的半导体器件，它结合了晶体管的高效控制和场效应晶体管低压控制的特点，具有功率密度高、速度快、开关能力强等特点，被广泛应用在高压、大电流领域。可用于电机控制、电源管理、电力传输等领域。
首次出现的IGBT仅能承受数百伏特的高压，但随着技术的不断进步，其承受高压已经达到数千伏特，甚至更高。其能力虽然最初仅用于直流电流，但现在已广泛应用于交流电流。IGBT的优点在于可承受大电流、高电压，所以常被用于电力系統的开关控制。
igbt是什么？igbt的工作原理、应用和特点
IGBT，全称Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管，是一种新型的高压、大电流功率半导体器件。它把Bipolar Junction Transistor（BJT）的优点和MOSFET的优点结合在一起，具有BJT的低导通电压和大电流控制能力，同时还有MOSFET的高输入阻抗。IGBT于20世纪80年代发明，广泛应用于可控硅、MOSFET等工作区域内的电力电子设备。在高压、大电流开关电路中，IGBT的高性能已经成为电力电子设备的核心。
IGBT的工作原理与MOSFET类似，通过一个绝缘栅极，来控制晶体管的通断。当控制信号的电压为高电平时，绝缘栅极上形成正向的电场，将N沟道（源极和漏极之间）上的载流子（主要是电子）引入绝缘层，同时在PN结处形成空间电荷区域，形成导电通道，从而使IGBT导通，在漏极与源极之间形成较低的电压，实现功率放大。反之，当控制信号的电压为低电平时，绝缘栅极上形成反向的电场，阻断N沟道上的载流子，使得功率晶体管的导通状态被断开，整个开关断开，从而使IGBT截止。
IGBT具有低导通电压（与BJT相近），使前端驱动电路容易实现，而且输入电阻也很高（与MOSFET相近），驱动功耗少；而且控制器较容易，是一种理想的开关器件。
